半导体技术

投稿格式

　　书写格式

　　♦ 题目要求不超过20字。

　　♦ 署名作者及所在单位：提供中英文的单位全称、所在城市和邮政编码，作者人数不超过7人。

　　♦ 中英文摘要：摘要宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论，中文250字左右。

　　♦ 关键词：中英文5~8个。

　　♦ 中图分类号：采用中国图书分类法(第五版进行分类)。

　　♦ 基金项目：在首页页脚标注项目名称和批准号。

　　♦ 缩略词和物理量：正文部分英文缩略词第一次出现时须写出中英文全称;物理量符号须分清大小写、正斜体、上下角，第一次出现该符号时需给出其含义。

　　♦ 图、表和公式：按在论文中出现的先后顺序编号并排在正文相应位置，在图下面标注图题、图注。有分图时分图用(a)(b)(c)等标识并给出中文分图题，插图最好用矢量图格式。表格应简明，宜用三线表，图和表里的文字用中文。图表以不小于50 mm×70 mm 为宜，照片须清晰，分辨率不低于600 dpi。图、表中出现的物理量名称和符号须与正文一致，不要出现正文中没有提及或与正文内容无关的文字或符号。公式在文章中以阿拉伯数字连续编号，需用Mathtype公式编辑器编辑。

　　♦ 参考文献：按在正文中出现的顺序编号，用方括号标于引文处右上角，并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料，应符合GB/T 7714—2015文献著录规则，著录项目齐全。

　　⇒ 期刊格式：作者(列前三名，姓前名后，英文全部大写)，等. 文章题目(英文首字母大写)[J]. 刊名(每个英文单词首字母大写)，发表年份，卷(期)：起止页码.

　　⇒ 书籍格式：作者(列前三名，姓前名后，英文全部大写)，等. 书名(英文首字母大写)[M]. 出版地：出版社，出版年份：参考起止页码.

　　⇒ 会议论文集格式：作者(列前三名，姓前名后，英文全部大写)，等. 文章题目(英文首字母大写)[C] // 会议名称. 会议召开的城市，国别，年份：起止页码.

　　♦ 作者简介(含导师简介)：姓名(出生年—)，性别，籍贯(出生地，如：河北石家庄人)，学历，职称，从事专业或研究方向。